MICROELECTRONIC AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DESIGN GROUP
Charakterystyki
tranzystora NMOS
Applet rysuje dwa rodzaje charakterystyk tranzystora NMOS:
-
wyjsciowe Id(Uds) przy Ugs=const
-
przejsciowe Id(Ugs) przy Uds=const
W polach tekstowych ponizej wykresu istnieje mozliwosc wprowadzenia nastepujacych
parametrow:
-
napiecie Uds lub Ugs (w zaleznosci od rodzaju charakterystyki)
-
ruchliwosc nosnikow µn
-
stosunek dlugosci do szerokosci kanalu W/L
-
grubosc polprzewodnika Xi
-
napiecie progowe Ut
-
maksymalne wartosci na osiach wykresu - Umax i Imax
Do obliczenia charakterystyk wykorzystane zostaly wzory dla tranzystora
w wariancie z uwzglednieniem zmian ladunku wzdluz kanalu:
Applet wywoluje sie przez nacisniecie przycisku "START"
Autor projektu:
Grzegorz Garlewicz (garlew@ibm.uci.agh.edu.pl)
IV rok Informatyki WEAIE AGH Krakow
Opiekun projektu: mgr inz. Piotr Bratek
[Home Page]
|
[People]
|
[Research]
|
[Teaching (in Polish)]
|
[How to find us?]
Webmaster
: bratek@uci.agh.edu.pl
Last modified: 2005-03-17